STMicroelectronics STP4NK60ZFP
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP5NK50ZFP
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP5NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 1.2 Ohm - 5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP4NK60ZFP fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP / Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STP4NK60ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220FP, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Mosfet, N, To-220Fp; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):2Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP4NK60ZFP
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant