STMicroelectronics STP3N80K5
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP3N80K5 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 800 V 3.5 O 60 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
STP3N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.5 A, 800 V, 3-PIN TO-220
N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronics NMOS MDmesh K5, SuperMESH5, Vds=800 V, 2.5 A, TO-220, , 3
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 800V, 2.5A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:2.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP3N80K5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance130 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time20.5 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant