STMicroelectronics STP34NM60N
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP36N55M5
N-channel 550 V, 0.06 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP60R099CPAAKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 / N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh m5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP34NM60N fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STP34NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 29 A, 600 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
29 A 600 V 0.105 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 29A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.722 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation210 W
Rds On Max105 mΩ
Resistance105 MΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant