STMicroelectronics STP31N65M5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP30N65M5
N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220
InfineonIPP65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP65R150CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP31N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STP31N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 710 V, 3-PIN TO-220
Mosfet, N-Ch, 650V, 22A, 150Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP31N65M5
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance816 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max148 mΩ
Resistance148 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant