STMicroelectronics STP28NM60ND
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF28NM60ND
STF28NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
InfineonIPA60R125CPXKSA1
IPA60R125CP Series 650 V 25 A 0.125 Ohm CoolMos Power Transistor - TO-220-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP28NM60ND fournies par ses distributeurs.
STP28NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 23 A, 600 V, 3-Pin TO-220
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220 package
Single N-Channel 650 V 0.15 O 190 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
190W(Tc) 25V 5V@ 250µA 62.5nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 150mΩ@ 11.5A,10V 23A 2.09nF@100V TO-220 Through hole mounting
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.09 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Rise Time21.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time23.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant