STMicroelectronics STP20NF06L
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP16NF06L
N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in TO-220 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP20NF06L fournies par ses distributeurs.
N-channel 60 V, 0.06 Ohm typ., 20 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Transistor MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
STP20NF06L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 60 V, 3-PIN TO-220
N-Channel 60 V 0.07 Ohm Flange Mount STripFET II Power MosFet - TO-220
N-CHANNEL 60 V, 0.06 OHM, 20A STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N Ch, 60V, 20A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:10A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP20NF06L
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant