STMicroelectronics STP17NK40ZFP
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP14NK50ZFP
N-Channel 500 V 380 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTF23NM50N
STF23NM50N N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP
VishaySIHF18N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 18A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
STMicroelectronicsSTP15NK50ZFP
Mosfet Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 340 Mohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP17NK40ZFP fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 400V - 0.23 Ohm - 15A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP
STP17NK40ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15 A, 400 V, 3-PIN TO-220FP
MOSFET, N TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.4A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 0.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipat
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max250 mΩ
Rise Time23 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant