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STMicroelectronics STP10N60M2

N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
$ 0.68
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
TME
2
STP10N60M2
117
1
USD
1,640
1,200
0,840
0,680
0,680
21h
DigiKey
497-13970-5-ND
258
1
Tube
USD
2,160
2,160
0,934
0,680
0,538
RS (Formerly Allied Electronics)
STP10N60M2
0
5
Bulk
USD
1,820
1,640
1,640
1,640
12h
Future Electronics
STP10N60M2
0
50
Tube
USD
0,775
0,735
0,695
Avnet
STP10N60M2
0
2K
USD
0,516
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STP10N60M2.

STMicroelectronics

Datasheet24 pagesIl y a 13 ans

Future Electronics

JRH Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTF10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Détails
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Détails
STMicroelectronicsSTFH10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
Détails
STMicroelectronicsSTF9N60M2
N-channel 600 V, 0.72 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Détails
InfineonIPA60R450E6XKSA1
CoolMOS E6 Power Transistor N-Channel 600V 9.2A 3-Pin TO-220FP
Détails
InfineonIPA60R650CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 20.5 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STP10N60M2 fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronics
STP10N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.5 A, 650 V, 3-PIN TO-220
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
N-Channel 600 V 85 W 0.6 Ohm Flange Mount Power MosFet - TO-220-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N-CH, 600V, 7.5A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; P
Farnell

Images

Augswan
TME
Lanka Micro
Future Electronics
JRH Electronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics