STMicroelectronics STP100N10F7
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Pièces détachées
InfineonIPP057N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP062NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 N-Channel 75 V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP100N10F7 fournies par ses distributeurs.
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
150W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 61nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 8mΩ@ 40A,10V 80A 4.369nF@50V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP100N10F7
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.39 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant