STMicroelectronics STN1NF20
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
VishayIRFL210TRPBF
IRFL210TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.96 A, 200 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
VishayIRFL210PBF.
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2 W
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STN1NF20 fournies par ses distributeurs.
N-channel 200 V, 1.1 Ohm, 1 A STripFET(TM) II Power MOSFET in SOT-223 package
Single N-Channel 200 V 2 W 5.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
2W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 5.7nC@ 10 V 1individualNChannel 200V 1.5¦¸@ 500mA,10V 1A 90pF@25V SOT-223 SMD mount 6.5mm(Length)*3.5mm(width)
MOSFET, N-CH, 200V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance90 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time5.6 ns
Schedule B8541290080
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant