STMicroelectronics STN1NF10
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonBSP296NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.2 A, 600 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
VishayIRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.69 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STN1NF10 fournies par ses distributeurs.
Mosfet Transistor, N Channel, 500 Ma, 100 V, 700 Mohm, 10 V, 3 V |Stmicroelectronics STN1NF10
STN1NF10 N-channel MOSFET Transistor, 1 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
N-Channel 100V - 0.7 Ohm - 1A - SOT-223 STripFET(TM) II POWER MOSFET
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 / Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET, N CH, 100V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power D
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance105 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time5.5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant