STMicroelectronics STL40N10F7
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD45N10F7
N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC196N10NSGATMA1)
InfineonIRFH5053TRPBF
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 24 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STL40N10F7 fournies par ses distributeurs.
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package
N-CHANNEL100 V, 20 MILLIOHM TYP., 10 A STRIPFET F7 POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor
Among the lowest RDS on the market | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R
MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 40A, 175度 C, 70W;
N-Channel Stripfet > 30 V To 350 V Rohs Compliant: Yes
Power MOSFETs, 100V, 10A, PowerFLAT 5x6, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
POWERFLAT 5X6 MIXPLANT RINGCUT
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time5.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.27 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 mΩ
Rise Time17.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Length5.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant