STMicroelectronics STH180N10F3-2
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Pièces détachées
InfineonAUIRFS4310
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRLS4030
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK / N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonAUIRLS4030TRL
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH185N10F3-2
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH310N10F7-2
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STH180N10F3-2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH180N10F3-2 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2
N-Ch MOSFET 100V 180A RDS(ON) 4.5mΩ@60A,10V Qg 114.6nC@10V Ciss 6.665nF@25V H2PAK-2 SMD 4.8mm H
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
MOSFET, N CH, 100V, 120A, H2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Po
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.665 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 MΩ
Rise Time97.1 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time99.9 ns
Turn-On Delay Time25.6 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length15.8 mm
Width10.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant