STMicroelectronics STH140N8F7-2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH145N8F7-2AG
Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7540TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STH140N8F7-2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STH140N8F7-2 N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 80 V, 3-Pin H2PAK
Mosfet, N-Ch, 80V, 90A, H2Pak-2; |Stmicroelectronics STH140N8F7-2
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Power MOSFETs, 80V, 90A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
200W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 96nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 4mΩ@ 45A,10V 90A 6.34nF@40V H2PAK-2 SMD mount 4.8mm(height)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.34 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max4 mΩ
Rise Time51 ns
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width15.8 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant