STMicroelectronics STGW25S120DF3

Name: STMicroelectronics STGW25S120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGW25S120DF3

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 8.36

Obsolete

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Datasheet18 pagesIl y a 13 ans

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Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGWA25M120DF3

Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

Détails

STMicroelectronicsSTGWA25S120DF3

Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop

Détails

STMicroelectronicsSTGW25M120DF3

Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

Détails

InfineonIRG7PH35UD-EP

1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with UltraFast Soft Recovery Diode

Détails

InfineonIRG7PH35UDPBF

TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction Cooking 50A COPAK-247 ;RoHS Compliant: Yes

Détails

onsemiNGTB25N120FL2WG

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STGW25S120DF3 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop

STMicroelectronics

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of P

Farnell

Igbt, Single, 1.2Kv, 50A, To-247; Continuous Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:375W; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW25S120DF3

Newark

Images

Newark

RS

Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :