STMicroelectronics STGF30H65DFB2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGF30H65DFB2 fournies par ses distributeurs.
IGBT, 650V, 50A, 50W, TO-220FP; Available until stocks are exhausted
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 IGBT, TO-220FP
Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 30A 3-Pin TO-220FP Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 650V, 50A, TO-220FP; Continuous Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:50W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1