STMicroelectronics STGD4M65DF2
$ 0.57
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-16963-1-ND | 2 550 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STGD4M65DF2 | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| Newark | STGD4M65DF2 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STGD4M65DF2 | 0 | 2500 | 19h | ||||||||
| Arrow Electronics | STGD4M65DF2 | 0 | 2500 |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGD4M65DF2 fournies par ses distributeurs.
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
M Series 650 V 8 A 68 W Surface Mount Trench Gate Field Stop IGBT - DPAK
晶体管, IGBT, 650V, 8A, 175度 C, 68W;
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
IGBT, 650V, 8A, 175DEG C, 68W;
IGBT, SINGLE, 650V, 8A, TO-252; Continuous Collector Current:8A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:68W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fiches techniques et documents
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