STMicroelectronics STF9NM50N
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STF9NM50N.
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF10NM60ND
N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, TO-220FP FDmesh(TM) II Power MOSFET
STMicroelectronicsSTF10NM50N
N-channel 500 V, 0.53 Ohm, 7 A TO-220FP MDmesh(TM) II Power MOSFET
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF9NM50N fournies par ses distributeurs.
Transistor STF9NM50N N-Channel MOSFET 500 Volt 7.5 Amp TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
7.5 A 500 V 0.56 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance560 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance570 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max560 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STF9NM50N.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant