STMicroelectronics STF7NM80
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Pièces détachées
InfineonIPA80R1K0CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF7NM80 fournies par ses distributeurs.
N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 800 V 1.05 Ohm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Transistor N-Channel Power MOSFET 800V 6.5A
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
25W(Tc) 30V 5V@ 250µA 18nC@ 10 V 1individualNChannel 800V 1.05Ω@ 3.25A,10V 6.5A 620pF@25V TO-220FP Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.3mm
MOSFET, N CH, 800V, 6.5A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.25A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):950mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:6.5A; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Pd:25W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance620 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.05 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant