STMicroelectronics STF7NM60N
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Fiche technique officielleIl y a 7 ans
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF12N65M5
N-channel 650 V, 0.39 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIRFI4212H-117P
100V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package
InfineonIRFI4019H-117P
150V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package
InfineonIRFI4020H-117P
200V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package.
InfineonBTS247ZE3043AKSA1
Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220AB Tube
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF7NM60N fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STF7NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
600 V, 5 A, 0.76 OHM N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 4.7A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.84ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-5
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance363 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max900 mΩ
Resistance900 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant