STMicroelectronics STF6N65K3
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP6NK60ZFP
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP9NK60ZFP
N-Channel 600 V 950 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP9NK65ZFP
N-channel 650 V - 1 Ohm - 6.4 A TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF6N65K3 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 1.1 Ohm typ., 5.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5.4 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
30W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 650V 1.3¦¸@ 2.8A,10V 5.4A 880pF@50V TO-220FP 20mm
650 V, 4 A, 1.1 OHM, TO-220FP SUPERMESH3 N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 650V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -2.30%
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance880 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max1.3 Ω
Resistance1.3 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant