STMicroelectronics STF3NK100Z
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP3NK90ZFP
N-Channel 900 V 4.8 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF3NK100Z fournies par ses distributeurs.
STF3NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 2.5 A, 5.4 ohm, TO-220FP, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-channel 1000V - 5.4Ohm - 2.5A - TO-220 - TO-220FP
STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=1000 V, 2.5 A, TO-220FP, , 3
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 1000V, 2.5A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 5.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V;
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance601 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max6 Ω
Rise Time7.5 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant