STMicroelectronics STF25N80K5
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP25N80K5
N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-220FP
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF25N80K5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF25N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 19.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 800V, 19.5A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:19.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF25N80K5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance260 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max260 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.6 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant