STMicroelectronics STF16N65M5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
STMicroelectronicsSTF19NM50N
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
STMicroelectronicsSTF18N55M5
N-channel 550 V, 0.150 Ohm, 16 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP package
VishaySIHP15N50E-GE3
E-Series N-Channel 500 V 156 W 0.243 O 66 nC Flange Mount Power Mosfet -TO-220AB
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF16N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.230 Ohm typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF16N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
N-Channel 650 V 279 mOhm MDmesh V Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Mosfet, N Ch, 650V, 12A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF16N65M5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance279 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max279 mΩ
Resistance279 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant