STMicroelectronics STF12N65M5
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Pièces détachées
InfineonIRFI4019H-117P
150V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package
InfineonIRFI4212H-117P
100V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package
InfineonIRFI4020H-117P
200V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package.
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF12N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.39 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF12N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8.5 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
650 V-8.5 A-0.39 OHM TO-220FP N-CHANNEL MDMESH V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 650V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 650V, 8.5A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8.5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.39ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; P
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-5
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max430 mΩ
Resistance430 mΩ
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time15.6 ns
Turn-On Delay Time22.6 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant