STMicroelectronics STF12N65M2
$ 0.898
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -9.58%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles STMicroelectronics STF12N65M2, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF13N65M2
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
InfineonIPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
onsemiFCPF380N65FL1
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F
InfineonIPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF12N65M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
N-Channel 650 V 500 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
STF12N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 650V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh M2series, Vds=650 V, 8 A, TO-220FPencapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N-CH, 650V, 8A, 150DEG C, 25W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.42ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -9.58%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max500 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm