STMicroelectronics STF11N65M2
$ 0.825
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STF11N65M2 | 1 000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STF11N65M2 | 1 000 | 1K | |||||||||
| TME | STF11N65M2 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Avnet | STF11N65M2 | 0 | 1K | 4d | ||||||||
| Farnell | STF11N65M2 | 0 | 1 | 7h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +0.00%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STF11N65M2.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles STMicroelectronics STF11N65M2, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF10NM50N
N-channel 500 V, 0.53 Ohm, 7 A TO-220FP MDmesh(TM) II Power MOSFET
VishaySIHF8N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 8.7A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF11N65M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMICROELECTRONICS STF11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 12.5nC@ 10 V 1N 650V 670m¦¸@ 3.5A,10V 7A 410pF@100V TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7A, TO-250FP-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +0.00%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance680 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max680 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STF11N65M2.