STMicroelectronics STD65N55F3
$ 1.094
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STD65N55F3 | 520 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STD65N55F3 | 2 500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | STD65N55F3 | 2 500 | 2500 | |||||||||
| TME | STD65N55F3 | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Avnet | STD65N55F3 | 0 | 2500 | 3h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
InfineonAUIRFR1010Z
Advanced Process Technology / Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
International RectifierAUIRLR3705ZTRL
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD65N55F3 fournies par ses distributeurs.
N-channel 55V - 6.5mOhm - 65A - DPAK STripFET (TM) ; Power MOSFET
N-Channel 55 V 8.5 mOhm Surface Mount STripFET Power MosFet - TO-252
STD65N55F3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 55 V, 3-PIN DPAK
N-CHANNEL 55V-6.5 MILLI OHM-80A-DPAK STRIPFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 55V, 80A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 32A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 6.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 80A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 55V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time50 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant