STMicroelectronics STD4NK60ZT4

Name: STMicroelectronics STD4NK60ZT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD4NK60ZT4

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK

$ 0.558

Production

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STD4NK60ZT4	2 496	1	Cut Tape	1,640	1,330	0,862	0,564	0,564
Arrow Electronics	2	STD4NK60ZT4	2 193	1		0,615	0,606	0,587	0,558	0,558
Verical	2	STD4NK60ZT4	17 500	2500						0,483
TME	2	STD4NK60ZT4	2 593	1		1,629*	1,184*	0,849*	0,653*	0,590*	14h
DigiKey	2	497-5889-1-ND	1 203	1	Cut Tape	2,380	1,521	1,034	0,758	0,758

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTD5NK50ZT4

N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package

Détails

STMicroelectronicsSTD5N52U

N-Channel 525 V 4.4 A 1.5 Ohm 70 W Surface Mount UltraFASTmesh Mosfet - TO-252

Détails

STMicroelectronicsSTD5N52K3

N-channel 525 V, 1.2 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package

Détails

onsemiFDD5N60NZTM

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 4 A, 2 Ω, DPAK

Détails

onsemiFCD5N60TM

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 4.6 A, 950 mΩ, DPAK

Détails

onsemiFCD5N60TM-WS

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 4.6 A, 950 mΩ, DPAK

Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STD4NK60ZT4 fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK

STMicroelectronics

Transistor MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R

North Star Micro

STD4NK60Z Series 600 V 2 Ohm 4 A N-Channel SuperMesh Power MosFet - TO-252

Future Electronics

STD4NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 600 V, 3-PIN DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

N-CHANNEL 600 V-1.76 OHM-4 A DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4A; On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:70W; Power Dissipation Pd:70W; Pulse Current Idm:16A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:600V; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V

element14 APAC

Images

TME

DKO Electronshik

RS (Formerly Allied Electronics)

South Microelectronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

STD4NK60ZT4.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)4 A

Current Rating4 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance2 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time16.5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance510 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation70 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation70 W

Rds On Max2 Ω

Resistance2 Ω

Rise Time9.5 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.3 V

Turn-Off Delay Time29 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)600 V

Dimensions

Height2.4 mm

Length6.6 mm

Width6.2 mm

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant