STMicroelectronics STD4N80K5

N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
$ 0.695
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
497-14033-1-ND1 9761Cut Tape
NewarkSTD4N80K501Cut Tape
AvnetSTD4N80K502500
11h
Future ElectronicsSTD4N80K502500Tape & Reel
Arrow ElectronicsSTD4N80K502500

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STD4N80K5.

Newark

Datasheet23 pagesIl y a 13 ans

Future Electronics

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-10.36%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles STMicroelectronics STD4N80K5, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTD4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD3NM60N
N-channel 600 V, 1.6 Ohm, 3.3 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD3N62K3
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
Détails
onsemiFCD4N60TM
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 3.9 A, 1.2 Ω, DPAK
Détails
onsemiFQD5N60CTM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 2.8 A, 2.5 Ω, DPAK
Détails
onsemiFDD4N60NZ
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 3.4 A, 2.5 Ω, DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STD4N80K5 fournies par ses distributeurs.

N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronics
N-channel 800 V 3 A 2.5 Ohm Surface Mount Power MOSFET - TO-252-3
Future Electronics
STD4N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 800 V, 3-Pin DPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
MOSFET, N-CH, 800V, 3A, 150DEG C, 60W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh K5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Farnell

Images

Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics