STMicroelectronics STB8NM60D
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB10NK60ZT4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 0.75ohm; 115W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
STMicroelectronicsSTB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 1 Ohm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
STMicroelectronicsSTB9NK60ZT4
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
VishayIRFS9N60ATRLPBF
IRFS9N60A Series 600 V 0.75 Ohms Single N-Channel SMT Power Mosfet - D2PAK
VishayIRFS9N60ATRRPBF
IRFS9N60ATRRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 9.2 A, 600 V, 2+TAB-PIN TO-263
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB8NM60D fournies par ses distributeurs.
STB8NM60D N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 600 V, 3-Pin D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-CHANNEL 600V - 0.9Ohm - 8A - TO-220/D2PAK
TRANS MOSFET N-CH 600V 8A 3PIN D2PAK
Power MOSFET Transistors N Ch 600V 0.9Ohm 8A
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
8 A 600 V 1 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power MOSFETs, 600V, 8A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
100W(Tc) 30V 5V@ 250µA 18nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 1Ω@ 2.5A,10V 8A 380pF@25V D2PAK SMD mount 4.83mm(height)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance380 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation100 W
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant