STMicroelectronics STB21N90K5

N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
$ 3.203
Production
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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Verical
STB21N90K5
10 000
1K
USD
3,141
3,141
Arrow Electronics
STB21N90K5
10 000
1K
USD
3,141
3,141
TME
2
STB21N90K5
0
1
USD
6,790
5,400
5,170
5,170
5,170
>1wk
Mouser
511-STB21N90K5
657
1
Tape & Reel
USD
8,080
4,370
4,010
3,660
3,660
Future Electronics
STB21N90K5
0
1K
Tape & Reel
USD
8,440
8,440

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STB21N90K5.

STMicroelectronics

Datasheet22 pagesIl y a 15 ans

Farnell

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB25N80K5
N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
STMicroelectronicsSTB18NM80
N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Détails
STMicroelectronicsSTB20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Détails
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Détails
VishaySIHB24N65E-E3
MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB21N90K5 fournies par ses distributeurs.

N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
N-Channel 900 V 0.299 Ohm SMT Power MOSFET - D2PAK
Future Electronics
250W(Tc) 30V 5V@ 100µA 43nC@ 10 V 1individualNChannel 900V 299mΩ@ 9A,10V 18.5A 1.645nF@100V D2PAK SMD mount 4.83mm(height)
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH, 900V, 18.5A, TO-262; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18.5A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 250W; Transistor Case Style: TO-262; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: SuperMESH 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Farnell

Images

Farnell
TME
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics