STMicroelectronics STB20NM60T4
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB20NM50T4
N-channel 500 V, 0.20 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB20NM50FDT4
N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - D2PAK FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
STMicroelectronicsSTB22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK
VishaySIHB15N60E-GE3
Vishay NChannelMOSTube, Vds=600 V, 15 A, D2PAK （TO-263）encapsulation, surface mount
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB20NM60T4 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 600V - 0.25Ohm - 20A - D2PAK MDmesh MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET Transistors N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET, N-CH, 600V, 20A, D2PAK;
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STB20NM60T4
Power MOSFETs, 600V, 20A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
192W(Tc), 30V, 5V@250µA, 54nC@10V, 1 N-Ch, 600V, 290mΩ@10A,10V, 20A, 1.5nF@25V, D2PAK, SMD, 10.4mm × 9.35mm × 4.6mm
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation192 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation192 W
Rds On Max290 mΩ
Resistance290 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant