STMicroelectronics STB11NM80T4
$ 4.01
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STB11NM80T4 | 9 000 | 1K | 6d | ||||||||
| Future Electronics | STB11NM80T4 | 1 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | STB11NM80T4 | 9 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB11NM80T4 | 3 000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB11NM80T4 | 3 000 | 1K |
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Fiche technique officielleIl y a 4 ans
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB16N65M5
N-channel 650 V, 0.230 Ohm typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB13N80K5
N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
VishayIRFS9N60ATRLPBF
IRFS9N60A Series 600 V 0.75 Ohms Single N-Channel SMT Power Mosfet - D2PAK
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB11NM80T4 fournies par ses distributeurs.
N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.5 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Power Mosfet, N Channel, 5.5 A, 800 V, 0.35 Ohm, 4 V, 4 V |Stmicroelectronics STB11NM80T4
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N CH, 800V, 11A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 150W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 44A; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 800V; Voltage Vgs Max: 4V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation205 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant