STMicroelectronics SD57030
$ 52.958
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Distributeur
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Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -92.86%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics SD57030.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics SD57030 fournies par ses distributeurs.
30W 28V HF to 1GHz LDMOS TRANSISTOR
Transistor RF FET N-CH 65V 4A 945MHz 3-Pin Case M-243
74W 20V 1individualNChannel 65V 4A 58pF@ 28V M-243-3 SMD mount 20.57mm*6.1mm*4.45mm
Single N-Channel 65 V 74 W Silicon Mosfet - M-243
RF & Microwave Transistors N-Ch 65 Volt 4 Amp
RF power transistor, the LdmoST family
STMicroelectronics SCT
UHF BAND Si N-CHANNEL RF POWER MOSFET
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Rf Power |Stmicroelectronics SD57030
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -92.86%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageM
MountScrew
Number of Pins243
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage65 V
Drain to Source Voltage (Vdss)65 V
Element ConfigurationSingle
Frequency945 MHz
Gain13 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance58 pF
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Output Power30 W
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage65 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage28 V
Output Power30 W
Power Dissipation74 W
Power Gain15 dB
Test Current50 mA
Test Voltage28 V
Voltage Rating65 V
Voltage Rating (DC)65 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant