STMicroelectronics PD55003L-E
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Fiche technique officielleIl y a 11 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Pièces détachées
onsemiNIF9N05CLT1G
Protected Power MOSFET, N-Channel, Clamped, Logic Level, 2.6 A, 52 V, with ESD Protection
onsemiNIF9N05CLT3
Protected Power MOSFET, N-Channel, Clamped, Logic Level, 2.6 A, 52 V, with ESD Protection
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics PD55003L-E fournies par ses distributeurs.
Rf Fet Transistor, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 Mhz, 520 Mhz, Smd |Stmicroelectronics PD55003L-E
PD55003L-E Series 500 MHz 3 W N-Channel RF Power Transistor - POWER FLAT
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
STMicroelectronics SCT
PD55003L-E N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.5 A, 40 V, 14-PIN POWERFLAT
STMicroelectronics N-Channel MOSFET, Vds=40V, 2.5A, PowerFLAT 5x5, SMD, 14-Pin
3W 12.5V 500MHz LDMOS in PowerFLAT plastic package
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, RF, 12W, 500MHZ; Drain Source Voltage Vds: 40V; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Power Dissipation Pd: 14W; Operating Frequency Min: 480MHz; Operating Frequency Max: 520MHz; RF Transistor Case: SMD; No. of Pins: 8Pins
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Current Rating2.5 A
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Dual Supply Voltage40 V
Element ConfigurationSingle
Frequency500 MHz
Gain17 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance34 pF
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Power3 W
Max Power Dissipation14 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Elements1
Operating Supply Voltage12.5 V
Output Power3 W
Power Gain19 dB
TerminationSMD/SMT
Test Current50 mA
Test Voltage12.5 V
Voltage Rating40 V
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height880 µm
Length5 mm
Width5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant