STMicroelectronics PD20010-E

Transistor MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin (2+2Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Obsolete
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Avnet
PD20010-E
0
400
3d
Win Source
WS-PD20010-E
4 680
1
USD
22,024
18,472
18,472
18,472
13h
Worldway Electronics
PD20010-E
6 228
7
Tray
USD
9,085
8,914
8,571
8,399
12h
XINVRY
PD20010-E
30 000
USD
6,390
6,390
6,390
6,390
6,390
4d
YIC International
PD20010-E
1 900
USD
12,367
12,367
12,367
12,367
12,367
>1wk

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics PD20010-E.

IHS

Datasheet13 pagesIl y a 14 ans

Farnell

STMicroelectronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2022-06-14
LTD Date2022-12-14

Pièces détachées

STMicroelectronicsPD20010TR-E
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
Détails
STMicroelectronicsPD85015TR-E
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
Détails
STMicroelectronicsPD85015STR-E
15W 13.6V 870MHz LDMOS in powerSO-10RF plastic package
Détails
onsemiNIF62514T1G
Trans MOSFET N-CH 40V 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Détails
onsemiNIF62514T3G
Self-protected FET, Current and Temp Limit, 42 V clamp, ESD
Détails
VishaySI2318CDS-T1-GE3
N-Channel 40 V 0.042 Ohm 2.1 W Surface Moun Power Mosfet - SOT-23-3
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics PD20010-E fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin (2+2Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
North Star Micro
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
Win Source
10W 13.6V 2GHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
STMicroelectronics
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
SHENGYU ELECTRONICS
RF TRANSISTOR, 40V, 2GHZ, POWERSO-10RF; Drain Source Voltage Vds: 40V; Continuous Drain Current Id: 5A; Power Dissipation Pd: 59W; Operating Frequency Min: -; Operating Frequency Max: 2GHz; RF Transistor Case: PowerSO-10RF; No
Farnell

Images

Lanka Micro
element14 APAC

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PD20010E