STMicroelectronics MJD122-1
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Pièces détachées
onsemiKSH45H11ITU
KSH Series 80 V 8 A 1.75 W Through Hole PNP Epitaxial Silicon Transistor - I-PAK
Diodes Inc.APT13003DI-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics MJD122-1 fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 / Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
MJD122-1 Series 100 V 8 A SMT NPN Darlington Transistor - TO-251 (IPAK)
4V@ 80mA,8A NPN - Darlington 1.75W 5V 10¦ÌA 100V 100V 8A TO-251-3 6.6mm*2.4mm*7.2mm
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
PolarityNPN
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant