Samsung IRFS820

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

Voir tous les prix
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Augswan
IRFS820
44 731
1
USD
0,082
0,079
0,077
0,074
0,073
2d
North Star Micro
NS-IRFS820
Contact
>1wk

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Samsung IRFS820.

IHS

Datasheet1 pageIl y a 0 an

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-06-09

Descriptions

Descriptions de Samsung IRFS820 fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS

Alias du fabricant

Samsung possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Samsung peut également être connu sous les noms suivants :

  • SAM
  • SEC
  • Samsung Semiconductor Inc
  • Samsung Semiconductor
  • SAMSUN
  • SAMSUNG ELECTRONICS
  • SAMS
  • SAMSUNG LED
  • SAMSUMG
  • SAMSU
  • SUMSUNG
  • SMG
  • KOREA
  • SAMAUNG
  • SMS
  • SAMSUNG SEMI
  • SAMSUNG ELECTRONICS INC
  • Samsung Electronics Co Ltd
  • SAMSUNG SEMICONDUCTO
  • SAMSUNG ELECTRO
  • SAMUNG
  • SANSUNG
  • Samsung Electronics (SEC)
  • SMM
  • SLD