Samsung IRF620A

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
SHENGYU ELECTRONICS
IRF620A
10 111
1
USD
0,306
0,300
0,290
0,280
0,270
5d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet6 pagesIl y a 0 an

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-01-01

Descriptions

Descriptions de Samsung IRF620A fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS

Alias du fabricant

Samsung possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Samsung peut également être connu sous les noms suivants :

  • SAM
  • SEC
  • Samsung Semiconductor Inc
  • Samsung Semiconductor
  • SAMSUN
  • SAMSUNG ELECTRONICS
  • SAMS
  • SAMSUNG LED
  • SAMSUMG
  • SAMSU
  • SUMSUNG
  • SMG
  • KOREA
  • SAMAUNG
  • SMS
  • SAMSUNG SEMI
  • SAMSUNG ELECTRONICS INC
  • Samsung Electronics Co Ltd
  • SAMSUNG SEMICONDUCTO
  • SAMSUNG ELECTRO
  • SAMUNG
  • SANSUNG
  • Samsung Electronics (SEC)
  • SMM
  • SLD