ROHM SCT3040KLGC11

Name: ROHM SCT3040KLGC11
Brand: ROHM
SKU: SCT3040KLGC11

SCT3040KL Series 1200 V 55 A 52 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N

$ 26.645

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IHS

Datasheet15 pagesIl y a 10 ans

Newark

Rohm SCT

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSCT30N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package

Détails

STMicroelectronicsSCT50N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package

Détails

STMicroelectronicsSCT10N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

Détails

VishayIRFPG30PBF

Single N-Channel 1000 V 5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Détails

VishayIRFPF40PBF

Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Détails

VishayIRFPG40PBF

Transistor MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC

Détails

Descriptions

Descriptions de ROHM SCT3040KLGC11 fournies par ses distributeurs.

SCT3040KL Series 1200 V 55 A 52 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1200V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 55A, To-247N-3; Mosfet Module Configuration:Single; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Gate Source Threshold Voltage Max:5.6V Rohs Compliant: Yes |Rohm SCT3040KLGC11.

Newark

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Alias du fabricant

ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :