ROHM RTR030N05TL
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2027-07-31
LTD Date2028-03-31
Pièces détachées
InfineonIRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 N-Channel 40 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
VishaySI2356DS-T1-GE3
Si2356DS Series 40 V 3.2 A 51 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3
onsemi2SK536-MTK-TB-E
Tape & Reel (TR) Surface Mount 3 RoHS Compliant Mosfet Transistor 53A 50V 20Ohm 125C TJ
Descriptions
Descriptions de ROHM RTR030N05TL fournies par ses distributeurs.
N-Channel 45 V 67 mOhm 3 A Surface Mount Mosfet - TSMT-3
Trans MOSFET N-CH Si 45V 3A 3-Pin TSMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 45V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1W(Ta) 12V 1.5V@1mA 6.2nC@ 4.5 V 1individualNChannel 45V 67mΩ@ 3A,4.5V 3A 510pF@10V TSMT-3 SMD mount 2.9mm*1.6mm*900μm
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:45V; Continuous Drain Current Id:3A; On Resistance Rds(On):0.048Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage45 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)45 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage45 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max67 mΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant