ROHM DTC123JETL

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
$ 0.046
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
CoreStaffST6479639038 3141
17h
DigiKey
3
DTC123JETLCT-ND5 0591Cut Tape
Verical
2
DTC123JETL17 04765
Arrow ElectronicsDTC123JETL17 0471
TME
2
DTC123JETL2 9801
2d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour ROHM DTC123JETL.

IHS

Datasheet11 pagesIl y a 11 ans

element14 APAC

Rohm SCT

Future Electronics

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

ROHMDTC143ZETL
Bipolar Transistors (BJT); DTC143ZETL; ROHM; NPN; 3; 50 V; 100 mA
Détails
ROHMDTC114TETL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHMDTC143TETL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ToshibaRN1106,LF(CT
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Détails
ToshibaRN1107,LF(CT
300mV@ 250¦ÌA,5mA NPN - Pre-Biased 100mW 6V 500nA 50V 100mA SOT-416-3 1.6mm*800¦Ìm*700¦Ìm
Détails
ToshibaRN1108(T5L,F,T)
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
Détails

Descriptions

Descriptions de ROHM DTC123JETL fournies par ses distributeurs.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ComSIT Distribution GmbH
DTC123J Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - EMT3
Future Electronics
80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-523(SC-75) Digital Transistors ROHS
Dasenic
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
Verical
TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:
Farnell
TRANSISTOR;DIGITAL;EM3;NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:80; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
element14 APAC

Images

Farnell
Future Electronics
TME

Alias du fabricant

ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :

  • Rohm Semiconductor
  • ROHM CO LTD
  • RHOM
  • ROH
  • RHM
  • ROHM ELECTRONICS
  • ROM
  • ROMH
  • ROHS
  • ROHN
  • ROHM SEMI
  • ROHM Semicon
  • ROHM CORPORATION
  • ROHM CORP
  • MIYA
  • Rohm Company Limited
  • ROHM CO
  • ROHM ELEC
  • ROHM Semiconductors
  • ROHM ELECTRO
  • ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
  • ROHM COMPANY LTD
  • ROHM INC
  • ROHM/MISC
  • ROHM/NONE

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • DTC123JE TL
  • DTC123JE-TL