ROHM DTC114EKAT146
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
ROHMDTC143XKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC124XKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC143EKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de ROHM DTC114EKAT146 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
30@5mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 50mA 50V 500nA SOT-23-3L Digital Transistors ROHS
ROHM, DTC114EKAT146 NPN DIGITAL TRANSISTOR, 100MA 10 KOHM, RATIO OF 1, 3-PIN SMT
DTC114EKA Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - SC-59
Pre Biased Triodes 100mA NPN SOT-23-3 10KΩ 50V 200mW 250MHz +150℃(TJ)
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:10Kohm; Base Emitter Resistor R2:10Kohm; No. Of Pins:3 Pin Rohs Compliant: Yes |Rohm DTC114EKAT146.
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.3 mm
Length2.9 mm
Width1.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant