ROHM 2SD2675TL
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2027-09-30
LTD Date2028-03-31
Pièces détachées
Diodes Inc.DSS30101L-7
DSS30101L Series 30 V 1 A Low VCE(SAT) NPN Surface Mount Transistor - SOT-23-3
ROHMBC848BWT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC848B-13-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de ROHM 2SD2675TL fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM 2SD2675TL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 30 V, 3-PIN SC-96
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
350mV@ 25mA,500mA NPN 1W 6V 100nA 30V 30V 1A TSMT-3 2.9mm*1.6mm*850¦Ìm
TRANSISTOR, NPN, 30V, 1A, SC-96; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 320MHz; Power Dissipation Pd: 500mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transisto
Transistor, Npn, 30V, 1A, Tsmt3; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:30V; Frecuencia De Transición Ft:320Mhz; Disipación De Potencia Pd:500Mw; Corriente De Colector Dc:1A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:270 |Rohm 2SD2675TL
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage120 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product320 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency320 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height950 µm
Length3 mm
Width1.8 mm
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