Le mode sombre est maintenant disponible. Basculer entre les modes clair et sombre. La préférence est enregistrée lorsque vous êtes connecté.

En savoir plus

Rochester Electronics IRF123

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 1
Obsolete
Fiche technique

Prix et stock

Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Rochester Electronics IRF123.

IHS

Datasheet7 pagesIl y a 0 an
Datasheet7 pagesIl y a 26 ans

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1986-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)

Descriptions

Descriptions de Rochester Electronics IRF123 fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

Alias du fabricant

Rochester Electronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Rochester Electronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • Rochester Electronics LLC
  • ROCHESTER
  • ROCHESTER ELECTRONIC
  • ROCHESTER ELECTRONICS INC
  • ONSEMI (VIA ROCHESTER)
  • Rochester Electron
  • ROCHESTER(REI)
  • ROCHESTER INSTRUMENT
  • REI
  • Triscend Corp
  • NFROCHESTER
  • ROCHESTER ELECT INC
  • Rochester(Intersil)
  • Rochester Elec

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF123.