Rochester Electronics FDN358P

1500MA, 30V, P-channel, Si, Small Signal, Mosfet, SUPERSOT-3
Fiche technique
Page du fabricant

Envoyer une demande de devis

Malheureusement, nous ne connaissons aucun distributeur pour FDN358P. Si vous en connaissez un, veuillez nous en informer afin que nous l’ajoutions à notre base de données ou demandez un devis à l’un de nos partenaires.

Envoyez une demande de devis à un groupe de distributeurs spécialisés dans la recherche de composants difficiles à trouver.

Demande de devis (RFQ)

Cette demande sera envoyée aux fournisseurs spécifiés.
(* indique un champ requis)

Demande de devis
Fournisseurs *
Coordonnées
Acheter auprès de revendeurs non agréés comporte des risques accrus. Les pièces peuvent être défectueuses, mal étiquetées, contrefaites ou non couvertes par la garantie. En savoir plus sur notre Classifications des distributeurs.

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Rochester Electronics FDN358P.

element14 APAC

Datasheet5 pagesIl y a 23 ans

Farnell

Jameco (USA)

Fairchild Semiconductor

iiiC

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Rochester Electronics FDN358P, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
SnapEDA
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Descriptions

Descriptions de Rochester Electronics FDN358P fournies par ses distributeurs.

1500mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3
Utmel Electronic
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:1.5A; On Resistance, Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:SuperSOT-3 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior sw itching performance. These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:560mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.5A; Current Temperature:25°C; Device Marking:FDN358P; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:560mW; Power Dissipation Pd:560mW; Pulse Current Idm:5A; SMD Marking:358; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
element14 APAC

Images

element14
Farnell
Distrelec
Newark
iiiC
element14
iiiC

Alias du fabricant

Rochester Electronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Rochester Electronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • Rochester Electronics LLC
  • ROCHESTER
  • ROCHESTER ELECTRONICS INC
  • ROCHESTER ELECTRONIC
  • Rochester Electron
  • ROCHESTER(REI)
  • ROCHESTER INSTRUMENT
  • REI
  • NFROCHESTER
  • ROCHESTER ELECT INC
  • Rochester(Intersil)
  • Rochester Elec