Optek OPB811W55Z
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
OptekOPB810W51Z
OPB810W Series 30 V 890 nm 50 mA 26 AWG Phototransistor Slotted Optical Switch
OptekOPB800W51Z
OPB800W Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
Descriptions
Descriptions de Optek OPB811W55Z fournies par ses distributeurs.
OPB811W Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
9.53 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Wd Gap Opt Switch
890nm Through-Beam 9.53mm Phototransistor , 30.99mm*6.35mm*10.8mm
Photointerrupter Transmissive 9.53mm Phototransistor 5-Pin Bag
SENSOR, OPTICAL SWITCH, WIDE GAP, 9.53MM SLOT, 890NM, 100 MW, 30 MA
Optek OPB811W55Z Slotted Optical Switch
RS APAC
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
WIDE GAP SLOTTED OPTICAL SWTCH
Slotted Switch, Phototransistor; Sensing Method:Through Beam; Sensing Distance/Slot Width:9.525Mm; Supply Voltage Min:-; Supply Voltage Max:-; Sensor Case/Package:Module; Collector Emitter Voltage Max:30V; Ip Rating:- Rohs Compliant: Yes |Tt Electronics/optek Technology OPB811W55Z
Alias du fabricant
Optek possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Optek peut également être connu sous les noms suivants :
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Spécifications techniques
Physical
Housing MaterialPlastic
MaterialPlastic
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins5
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance9.525 mm
Wavelength890 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length30.99 mm
Fiches techniques et documents
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