Optek OPB811W55Z
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Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Pièces détachées
OptekOPB810W51Z
OPB810W Series 30 V 890 nm 50 mA 26 AWG Phototransistor Slotted Optical Switch
OptekOPB800W51Z
OPB800W Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
OptekOPB802W55Z
890nm Through-Beam Phototransistor, 9.53mm, Wire Mount/Base Mount 30.99mm × 6.35mm × 10.8mm
Descriptions
Descriptions de Optek OPB811W55Z fournies par ses distributeurs.
OPB811W Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
890nm Through-Beam 9.53mm Phototransistor wire mounting，base mount 30.99mm*6.35mm*10.8mm
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Wd Gap Opt Switch
9.53 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
Photointerrupter Transmissive 9.53mm Phototransistor 5-Pin Bag
SENSOR, OPTICAL SWITCH, WIDE GAP, 9.53MM SLOT, 890NM, 100 MW, 30 MA
|Tt Electronics/optek Technology OPB811W55Z
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
Alias du fabricant
Optek possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Optek peut également être connu sous les noms suivants :
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Housing MaterialPlastic
MaterialPlastic
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins5
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance9.525 mm
Wavelength890 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length30.99 mm
Fiches techniques et documents
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