Optek OPB800L55
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Descriptions
Descriptions de Optek OPB800L55 fournies par ses distributeurs.
OPB800L Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
Photo Interrupter, Through Beam, 9.525Mm; |Tt Electronics / Optek Technology OPB800L55
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Wide Gap Opt Switch
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 9.53mm Slot Width
Photointerrupter Transmissive 9.53mm Phototransistor 4-Pin Bag
SENSOR, OPTICAL SWITCH, WIDE GAP, 9.53MM SLOT, 890NM, 100 MW, 30 MA
890nm Through-Beam 9.53mm Phototransistor PCBinstall，Through hole mounting 31.24mm*6.6mm*11.05mm
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 9.525MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 9.53mm; Aperture Width: 1.27mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.7V; Produc
Alias du fabricant
Optek possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Optek peut également être connu sous les noms suivants :
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Spécifications techniques
Physical
Housing MaterialPlastic
MountScrew, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage1.7 V
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance9.525 mm
Voltage Rating (DC)30 V
Wavelength890 nm
Dimensions
Height11.05 mm
Length31.24 mm
Fiches techniques et documents
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