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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Pièces détachées
InfineonIPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
InfineonIPD50R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
InfineonIPD50R2K0CEBTMA1
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de onsemi SSR1N60BTM fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 600V 0.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
2.5W(Ta)，28W(Tc) 4V@ 250µA 7.7nC@ 10V 1individualNChannel 600V 12Ω@ 450mA,10V 215pF@25V DPAK SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFETs N-Ch/600V/0.9a/12Ohm
Field Effect Tube (MOSFET)
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance12 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance215 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max12 Ω
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Fiches techniques et documents
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